[发明专利]晶圆的湿法清洗方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010394440.5 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111540670B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 唐斌;陈忠奎;李远哲 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆的湿法清洗方法及半导体器件的制造方法，所述晶圆的湿法清洗方法包括：提供一晶圆；将所述晶圆浸泡于含氢氟酸溶液的清洗槽中，以对所述晶圆表面进行清洗，清洗之后的所述晶圆表面形成有原硅酸；以及，溶解去除所述原硅酸，以避免在进入下一清洗工艺之前所述原硅酸分解为偏硅酸。本发明的技术方案能够避免在完成氢氟酸溶液清洗后晶圆表面产生的原硅酸在晶圆转移进入下一清洗工艺之前分解为后续清洗工艺无法去除的偏硅酸，进而避免导致晶圆表面产生缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 清洗 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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